艾弗森贝博ballbet官网·半导体芯片制造中、高级工考试题

时间：2024-04-07 05:07:41 来源：贝博bb平台登录入口 作者：贝博平台官网入口

　　半导体芯片制造中、高级工考试题1、 填空（江南博哥）大容量可编程逻辑器件分为（）和（）。解析：复杂可编程逻辑器件；现场可编程门阵列2、 单选人们规定：（）电压为安全电压.A.36伏以下50伏以下24伏以下答案：A3、 问答题对于大尺寸的MOS管版图设计，适合采用什么样的版图结构？简述原因。解析：（1）S管的版图一般采用并联晶体管结构。采用并联晶体管结构后，可共用源区和漏区，使得在同样宽长比的情况下，漏区和源区的面积被减小，并因此使得器件源极和漏极的PN结电容被减小，对提高电路的动态性能很有好处。（2）寸器件在版图设计时还采用折叠的方式减小一维方向上的尺寸。因为器件的尺寸大，即叉指的个数较多，如果采用简单并列的方式，将由于叉指到信号引入点的距离不同引起信号强度的差异。同时，由于在一维方向上的工艺离散性，也将导致最左端的叉指和最右端的叉指所对应的并联器件在参数和结构上产生失配。4、 填空在一个晶圆上分布着许多块集成电路，在封装时将各块集成电路切开时的切口叫（）。解析：划片槽5、 填空半导体材料可根据其性能、晶体结构、结晶程度、化学组成分类。比较通用的则是根据其化学组成可分为元素（）、（）半导体、固溶半导体三大类。解析：半导体；化合物6、 问答题叙述H2还原SiCl4外延的原理，写出化学方程式。解析：在气相外延生长过程中，首先是反应剂输运到衬底表面；接着是它在衬底便面发生反应释放出硅原子，硅原子按衬底晶向成核，.r 、n, +2/T1TSi+4/7C7+-1长大成为单晶层。化学方程式如下： -一7、 填空化学清洗中是利用硝酸的强（）和强（）将吸附在硅片表面的杂质除去。解析：酸性；氧化性8、 问答题集成电路封装有哪些作用？解析：（1）机械支撑和机械保护作用。（2） 传输信号和分配电源的作用。（3） 热耗散的作用。（4） 环境保护的作用。9、 填空外延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、分子束外延、（）、固相外延等。解析：化学气相；液相；原子束外延10、 填空半导体材料有两种载流子参加导电，具有两种导电类型。一种是（），另一种是（）。解析：电子；空穴11、 填空对标准单元设计EDA系统而言，标准单元库应包含以下内容：（）、和（）、（）、（）。解析：逻辑单元符号库；功能单元库；拓扑单元库；版图单元库12、 单选属于绝缘体的正确答案是（）°A.金属、石墨、、大地橡胶、塑料、玻璃、云母、陶瓷硅、锗、砷化镓、磷化铟各种酸、碱、盐的水溶液答案：B13、 填空腐蚀V形槽一般采用（）的湿法化学腐蚀方法。解析：各向异性14、 问答题什么叫光刻？光刻工艺质量的基本要求是什么？解析：光刻是一种图形复印和化学腐蚀相结合的精密表面加工技术。对光刻工艺质量的基本要求是：刻蚀的图形完整、尺寸准确、边缘整齐、线条陡直；图片内无小岛、不染色、腐蚀干净；图形套合十分准确；介质膜或金属膜上无；硅片表面清洁、不发花、无残留的被腐蚀物质。15、 填空离子注入是借其（）强行进入靶材料中的一个（）物理过程。解析：动能；非平衡16、 多选硅外延生长工艺包括（）。A.衬底制备原位HCl腐蚀生长温度，生长压力，生长速度尾气的处理答案：A,B,C,D17、 单选二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行（）扩散。A.预再选择答案：C18、 填空用肉眼或显微镜可观察二氧化硅的以下质量：颜色（）、结构（）；表面无（）、无（）、不发花；表面无裂纹、（）。解析：是否均匀；是否致密；斑点；白雾；无19、 单选在温度相同的情况下，制备相同厚度的氧化层，分别用干氧，湿氧和水汽氧化，哪个需要的时间最长？（）A、干氧B、 湿氧C、 水汽氧化D、 不能确定哪个使用的时间长答案：A20、 单选离子注入层的深度主要取决于离子注入的（）。A.能量剂量答案：A21、 填空光刻工艺一般都要经过涂胶、（）、曝光、（）、坚膜、腐蚀、（）等步骤。解析：前烘；显影；去胶22、 多选下列材料属于N型半导体是（）。A.硅中掺有元素杂质磷（P）、砷（As）硅中掺有元素杂质硼B.、铝（Al）砷化镓掺有元素杂质硅（Si）、碲（TE）砷化镓中掺元素杂质锌、镉、镁答案：A,C23、 单选恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为什么分布？（）A、高斯函数B、 余误差函数C、 指数函数D、 线、 多选按蒸发源加热方法的不同，真空蒸发工艺可分为：（）蒸发、（）蒸发、离子束蒸发等。A.电阻加热电子束蒸气原子答案：A,B25、 填空在半导体工艺中，硫酸常用于去除（）和配制（）等。解析：光刻胶；洗液26、 单选离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）°A.能量剂量答案：B27、 问答题为什么说洁净技术是半导体芯片制造过程中的一项重要技术？解析：半导体芯片制造，尤其是随着高度集成复杂电路和微波器件的发展，要求获得细线条、高精度、大面积的图形，各种形式的污染都将严重影响半导体芯片成品率和可靠性。生产中的污染，除了由于化学试剂不纯、气体纯化不良、去离子质量不佳引入之外，环境中的尘埃、杂质及有害气体、工作人员、设备、工具、日用杂品等引入的尘埃、毛发、皮屑、油脂、手汗、烟雾等都是重要污染来源。例如，PN结表面污染上尘埃、皮屑、油脂等将引起反向漏电或表面沟道，手汗引起的Na离子沾污会使MOS器件阈值电压飘移，甚至导致晶体管电流放大系数不稳定，空气中尘埃的沾污将引起器件性能下降，以致失效；光刻涂胶后尘埃的沾污将使二氧化硅层形成或小岛；大颗粒尘埃附着在光刻胶表面，会使掩膜版与芯片间距不一致，使光刻图形模糊；高温扩散过程中，附着在硅片上的尘埃将引起局部掺杂和快速扩散，使结特性变坏。所以洁净技术是半导体芯片制造过程中的一项重要技术。28、 问答题衬底清洗过程包括哪几个步骤？解析：（1）擦洗表面的大块污物；（2）浸泡；（3）化学腐蚀；（4）水清洗；（5）干燥。29、 填空白光照射二氧化硅时，不同的厚度有不同的（）。解析：干涉色30、 单选腐蚀二氧化硅的水溶液一般是用（）A、盐酸B、 硫酸C、 硝酸D、 氢氟酸答案：D半导体芯片制造中级工在线、 单选人们规定：（）电压为安全电压.A.36伏以下50伏以下24伏以下答案：A2、 多选硅外延生长工艺包括（）。A.衬底制备原位HCl腐蚀生长温度，生长压力，生长速度尾气的处理答案：A,B,C,D3、 填空半导体材料有两种载流子参加导电，具有两种导电类型。一种是（），另一种是（）。解析：电子；空穴4、 问答题衬底清洗过程包括哪几个步骤？解析：（1）擦洗表面的大块污物；（2）浸泡；（3）化学腐蚀；（4）水清洗；（5）干燥。5、 问答题集成电路封装有哪些作用？解析：（1）机械支撑和机械保护作用。（2） 传输信号和分配电源的作用。（3） 热耗散的作用。（4） 环境保护的作用。6、 问答题对于大尺寸的MOS管版图设计，适合采用什么样的版图结构？简述原因。解析：（1）S管的版图一般采用并联晶体管结构。采用并联晶体管结构后，可共用源区和漏区，使得在同样宽长比的情况下，漏区和源区的面积被减小，并因此使得器件源极和漏极的PN结电容被减小，对提高电路的动态性能很有好处。（2）寸器件在版图设计时还采用折叠的方式减小一维方向上的尺寸。因为器件的尺寸大，即叉指的个数较多，如果采用简单并列的方式，将由于叉指到信号引入点的距离不同引起信号强度的差异。同时，由于在一维方向上的工艺离散性，也将导致最左端的叉指和最右端的叉指所对应的并联器件在参数和结构上产生失配。7、 问答题集成电容主要有哪几种结构？解析：①金属-绝缘体-金属（MIM）结构；多晶硅/金属-绝缘体-多晶硅结构；金属叉指结构；PN结电容；MOS电容。8、 单选腐蚀二氧化硅的水溶液一般是用（）A、盐酸B、 硫酸C、 硝酸D、 氢氟酸答案：D9、 问答题为什么说洁净技术是半导体芯片制造过程中的一项重要技术？解析：半导体芯片制造，尤其是随着高度集成复杂电路和微波器件的发展，要求获得细线条、高精度、大面积的图形，各种形式的污染都将严重影响半导体芯片成品率和可靠性。生产中的污染，除了由于化学试剂不纯、气体纯化不良、去离子质量不佳引入之外，环境中的尘埃、杂质及有害气体、工作人员、设备、工具、日用杂品等引入的尘埃、毛发、皮屑、油脂、手汗、烟雾等都是重要污染来源。例如，PN结表面污染上尘埃、皮屑、油脂等将引起反向漏电或表面沟道，手汗引起的Na离子沾污会使MOS器件阈值电压飘移，甚至导致晶体管电流放大系数不稳定，空气中尘埃的沾污将引起器件性能下降，以致失效；光刻涂胶后尘埃的沾污将使二氧化硅层形成或小岛；大颗粒尘埃附着在光刻胶表面，会使掩膜版与芯片间距不一致，使光刻图形模糊；高温扩散过程中，附着在硅片上的尘埃将引起局部掺杂和快速扩散，使结特性变坏。所以洁净技术是半导体芯片制造过程中的一项重要技术。10、 填空半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂（）加速到的需要的（），直接注入到半导体晶片中，并经适当温度的（）。解析：离子；能量；退火处理11、 单选介质隔离是以绝缘性能良好的电介质作为“隔离墙〃来实现电路中各元器件间彼此电绝缘的一种隔离方法。常用的电介质是（）层。多晶硅氮化硅二氧化硅答案：C12、 填空工艺人员完成工艺操作后要认真、及时填写工艺记录，做到记录内容详细、（）、（）、书写工整、（）。解析：线、 问答题什么叫光刻？光刻工艺质量的基本要求是什么？解析：光刻是一种图形复印和化学腐蚀相结合的精密表面加工技术。对光刻工艺质量的基本要求是：刻蚀的图形完整、尺寸准确、边缘整齐、线条陡直；图片内无小岛、不染色、腐蚀干净；图形套合十分准确；介质膜或金属膜上无；硅片表面清洁、不发花、无残留的被腐蚀物质。14、 填空在一个晶圆上分布着许多块集成电路，在封装时将各块集成电路切开时的切口叫（）。解析：划片槽15、 填空抛光片的质量检测项目包括：几何参数，直径、（）、主参考面、副参考面、平整度、弯曲度等；（），电阻率，载流子浓度，迁移率等；晶体质量，晶向，位错密度。解析：厚度；电学参数16、 多选下列材料属于N型半导体是（）。A.硅中掺有元素杂质磷（P）、砷（As）硅中掺有元素杂质硼B.、铝（Al）砷化镓掺有元素杂质硅（Si）、碲（TE）砷化镓中掺元素杂质锌、镉、镁答案：A,C17、 填空全定制、半定制版图设计中用到的单元库包含（）、（）、（）和（）。解析：符号图；抽象图；线、 单选二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行（）扩散。A.预再选择答案：C19、 单选离子注入层的深度主要取决于离子注入的（）。A.能量剂量答案：A20、 单选恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为什么分布？（）A、高斯函数B、 余误差函数C、 指数函数D、 线、 单选说明构成每个单元所需的基本门和基本单元的集成电路设计过程叫（）：A、逻辑设计B、 物理设计C、 电路设计D、 系统设计答案：A22、 填空对标准单元设计EDA系统而言，标准单元库应包含以下内容：（）、和（）、（）、（）。解析：逻辑单元符号库；功能单元库；拓扑单元库；版图单元库23、 单选将预先制好的掩膜直接和涂有光致抗蚀剂的晶片表面接触，再用紫外光照射来进行曝光的方法，称为（）曝光。人接触接近式投影答案：A24、 单选从离子源引出的是：（）A、原子束B、 分子束C、 中子束D、 离子束答案：D25、 单选在温度相同的情况下，制备相同厚度的氧化层，分别用干氧，湿氧和水汽氧化，哪个需要的时间最长？（）A、干氧B、 湿氧C、 水汽氧化D、不能确定哪个使用的时间长答案：A26、 单选位错的形成原因是（）。A.位错就是由弹性形变造成的位错就是由重力造成的位错就是由范性形变造成的以上答案都不对答案：C27、 填空在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质，在整个过程中这层杂质作为扩散的杂质源，不再有新的杂质补充，这种扩散方式称为：（）解析：恒定表面源扩散28、 填空外延生长方法比较。